二维材料的结构缺陷和物理性质之间的内在联系是当前二维材料研究中的基本科学问题之一。球差校正电镜技术的发展已经使得低电压扫描透射电子显微镜（STEM）能够在原子分辨率及单原子分析灵敏度上对材料进行成像及谱学分析，并同步记录缺陷结构在电子束激发下的动态演变，为在原子尺度研究二维材料的缺陷物理及物性调控提供了新的实验手段。我将介绍我们课题组近几年利用低电压球差校正STEM在二维材料研究中所做的一些工作，包括利用STEM图像来定量测量二维半导体内化学掺杂浓度及掺杂原子的空间分布[1]，探索新型二维半导体量子阱超晶格结构的形成机制[2]，利用电子束在二维半导体材料内可控制备新型纳米结构[3]，以及探索在纳米尺度利用单色电子能量损失谱对双层旋转石墨烯的局域谱学物性进行实验测量。

[1] Gong et al. Nano Letters 14, 442-449 (2014)

[2] Zhou et al. Science Advances 4, eaap9096 (2018)

[3] Lin et al. Nature Nanotechnology 9, 436-442 (2014)

报告人简介：周武，现为中国科学院大学物理科学学院研究员、长聘教授。2006年清华大学本科毕业，师从电镜实验室朱静教授，2010年获美国理海大学材料科学博士学位，曾任美国橡树岭国家实验室研究员。先后获得美国橡树岭国家实验室Eugene Wigner Fellowship，中科院百人计划，自然科学基金委优秀青年基金等支持。长期从事低电压球差校正扫描透射电子显微学及功能纳米材料研究。主要研究的材料体系包括二维材料，异相催化剂，以及电池材料等。在Nature，Nature子刊，PRL等学术期刊上发表论文100余篇，SCI引用一万余次。