主题：面向后摩尔时代的新原理器件
14:00-14:30 唐建石老师报告
（25分钟+5分钟Q&A） 14:30-15:00 南天翔老师报告 （25分钟+5分钟Q&A） 15:00-15:30 主题讨论 演讲嘉宾 唐建石，清华大学微纳电子系/微电子所助理教授 2008年本科毕业于清华大学微纳电子系，2014年博士毕业于美国UCLA电子工程系，2015-2019年在美国IBM WatsonResearch Center工作，入选海外高层次人才计划，先后获NT18 “Best Young Scientist Award”、IEEE “Best Young Scientist Award”、IBM Invention Achievement Awards 等奖项。主要研究方向包括新型存储器与类脑计算、碳基电子学等，先后主持或参与国家自然科学基金、国家研究中心青年基金、腾讯Robotics X等项目，相关成果入选“2020年北京地区广受关注论文”。近年来在Nature Nanotechnology、Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances、IEDM等重要期刊和国际会议上发表论文90余篇，已授权美国发明专利22项。担任Frontiers in Neuroscience副编辑，Journal of Semiconductors青年编委，IEEE-NANO、EDTM等国际会议的技术委员会成员。IEEE高级会员。
报告题目 基于忆阻器的类脑计算与信号处理 报告摘要 人工智能、物联网等新兴产业的飞速发展对高算力、高能效的智能芯片提出了越来越高的需求。随着摩尔定律的放缓，主流CPU和GPU在算力和能效上的提升变得越来越困难，同时也面临着传统“冯·诺伊曼”架构中存算分离所带来的巨大挑战。受大脑启发，基于RRAM（忆阻器）等神经形态器件的类脑计算成为突破“冯·诺伊曼”瓶颈的最有潜力的技术路线之一。本报告将从人工智能对计算硬件的需求和挑战出发，分析后摩尔时代存算融合的发展趋势，阐述神经形态器件与类脑计算的基本原理，重点介绍基于忆阻器的存算一体技术的研究进展，探讨它在人工神经网络、脑机接口、信号处理等领域的应用，报告最后将对未来类脑计算技术的发展作出展望。 演讲嘉宾 南天翔，清华大学微纳电子系/微电子所助理教授 2015年博士毕业于美国东北大学电子工程系，获国家优秀自费留学生奖学金。2015至2019年分别在美国威斯康辛大学麦迪逊分校和美国康奈尔大学作博士后研究，入选海外高层人才计划。2020年入选《麻省理工科技评论》中国“35岁以下科技创新35人”。主要研究方向包括自旋电子器件、微机电系统器件等。近年来在Nature及Science子刊、PNAS等重要学术期刊共发表SCI论文60余篇，论文被SCI他引2000余次，H因子26。
报告题目 自旋电子器件在集成电路产业的机遇 报告摘要
通过对电子电荷的调控，人类发展了以半导体为基础的集成电路产业。随着物理极限的逼近，摩尔定律似乎走到了尽头。自旋是电子的另一个内禀属性，是信息的有效载体。能否利用基于自旋调控的自旋电子器件延续摩尔定律？ 本报告将围绕这一问题介绍自旋电子器件的发展历程和最新研究进展，重点探讨其在非易失性随机存储、射频、磁传感等领域的应用，并展望其在集成电路产业的机遇。
主持人 王志华，清华大学微纳电子系/微电子所教授 毕业于清华大学电子工程系，分别于1983、1985和1990年取得学士、硕士和博士学位。研究领域包含集成电路和系统的设计方法学，用于医疗和通信的低功耗模拟与射频集成电路设计等。获得过16项省部级以上的科技奖励。IEEE Fellow，中国电子学会会士，中国通信学会会士，清华大学学术委员会委员，IEEE OJCAS副主编。
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