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报告题目:
氧化物神经形态晶体管及其类脑芯片应用
 报告人:
万青
教授,南京大学电子科学与工程学院
报告时间:
2021-04-29 16:00
报告地点:
罗姆楼5-206
主办单位:
清华大学电子工程系
  简介:

报告摘要:

    人脑是由多达1015的突触(Synapse)连接起来的一台功耗仅为20W的分布式并行智能生物计算机。神经元(Neurons)是大脑记忆和信息处理的基本单元,突触则是神经元之间在功能上发生联系的部位,也是信息传递和处理的关键部位。从底层出发研制具有突触、神经元功能的新概念器件对于构建神经形态系统和研制真正意义上的“类脑芯片”意义十分重大。最近研究表明双电层晶体管在该领域具有重大应用前景。我们课题组是国际上第一个采用界面离子调控手段研制铟镓锌氧(IGZO)双电层晶体管并探索其在神经形态电子学领域应用的研究小组。2009年,我们课题组在磷掺杂SiO2纳米颗粒膜中发现了巨大双电层电容,并用该固态电解质作为栅介质层实现了非晶氧化物半导体载流子有效调控。在此基础上成功研制了一系列基于氧化物双电层晶体管的人造突触和人造神经元器件,并实现了生物突触的短/长程记忆、尖峰时间依赖的可塑性(STDP)、高通滤波、多路脉冲信息整合调控和树突算法等功能的仿生。上述研究结果为神经仿生电子学和神经形态工程提供了一种全新的材料与器件选择。

报告人简介:

    万青,男,国家杰出青年基金获得者,1976年8月出生,南京大学电子科学与工程学院教授/博士生导师。1998年本科毕业于浙江大学材料系,2004年在科学院上海微系统所获微电子学博士学位,之后在英国剑桥大学、美国密西根大学、斯坦福大学从事博士后、访问学者科研工作,2013年4月加盟南京大学电子工程学院。主要从事氧化物半导体及其新概念器件研究。累计在Nature Communications、Nano Letters、Advanced Materials、IEEE Electron Device Letters和Appl. Phys. Letts.等权威学术杂志上发表SCI论文200多篇,累计SCI他引1万余次。先后荣获科学院院长特别奖、全国百篇优秀博士论文、浙江省科技一等奖(个人排名第1),高等学校自然科学一等奖(个人排名第2)、中国青年科技奖、万人计划(青年拔尖、科技领军)人才、国家杰出青年基金等奖励和荣誉。

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