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报告题目:
材料院《材料科学论坛》:低电阻磁隧道结的间层交换作用
 报告人:
冷群文 博士
Director,Advanced Sensor R&D,Western Digital Corporation
Magnetic Head Operation, Fremont, CA
报告时间:
2015-05-15 14:00
报告地点:
清华大学材料学院学术报告厅(逸夫技术科学楼1-205)
主办单位:
材料院《材料科学论坛》联系人:张文征老师 62773795
  简介:

摘要
间层交换作用是两个铁磁层之间跨越非磁性间隔层的耦合。为什么层间耦合现象的研究很重要和有意义呢?因为这个机理的研究在1986年首次发现了人造磁性间层反铁磁现象.由此而导致1988年巨磁阻效应发现. 根据巨磁阻效应研制成的传感器是1995年后计算机高密度硬盘技术中的核心应用. 法国费尔特教授和德国格林伯格教授因为巨磁阻的发现和研究而荣膺2007年诺贝尔桂冠。
本报告研究工业溅射制造低阻隧道结间层相互作用, 即两铁磁跨越氧化镁绝缘间隔层的间层耦合作用,包括覆盖层效应及对间层低阻隧道结影响的机理,铁磁和反铁磁耦合作用现象和产生等。隧道磁阻是目前高密度磁盘驱动器,自旋磁矩随机存储器和磁阻生物芯片等自旋电子学应用的关键技术。不同径度微型隧道结的特性也将在讨论之列。

本人简介
冷群文,现任美国西部数据公司磁传感器研发技术总监。师从诺贝尔物理学奖获得者彼得格林伯格教授,研究磁性薄膜的间层磁相互作用和巨磁阻效应。领军AMR,GMR和TMR传感器在高密度磁存储中的研发和产品化。带领团队研发了应用于硬盘驱动器磁头的多代磁阻读取传感器。研发领域包括磁性薄膜材料及工艺加工,自旋阀传感器,磁隧道结,合成反铁磁,纳米结构和随机存储器。冷群文拥有德国科隆大学博士学位,中国科学院物理研究所硕士学位,和清华大学物理系学士学位。

 

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