Abstract: 

Surface X-ray scattering using a synchrotron source allows the atomic-scale morphology of a crystal surface to be observed in situ during growth and etching. This has proven to be uniquely powerful for studies of non-vacuum, reactive processes such as metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). In this talk I will give highlights of our studies of MOVPE growth mechanisms, and discuss future directions using coherent X-ray methods.

标题：金属有机化合物气相处延（MOVPE）生长过程的原位X射线散射研究

简介：基于同步辐射光源的表面X射线散射可实现在生长和蚀刻过程中对晶体表面原子尺度形貌特征的原位观察。事实证明，它在研究金属有机化合物气相外延 (MOVPE) 等非真空环境下的反应过程中具有独特且强大的功能。本讲座将重点介绍我们对MOVPE生长机制的研究，并讨论一些使用相干X射线散射方法的未来发展方向。

报告人简介：

G.Brian Stephenson，美国阿贡国家实验室杰出研究员、西北大学材料科学与工程系兼职教授。

自1995年以来，Stephenson博士在阿贡国家实验室领导同步辐射材料研究小组，并在2011-2014年间担任世界三大高能同步辐射光源之一的美国先进光子源 (Advanced Photon Sources)的总负责人。在加入阿贡之前，他曾在纽约的IBM研究中心担任团队负责人。Stephenson博士分别在麻省理工学院、斯坦福大学取得学士和博士学位，并因其在物理学领域的卓越贡献于1991年被授予美国物理学会会士荣誉。因其在硬X射线纳米探针领域的突出贡献，他在2009年荣获了R&D 100奖。Stephenson博士将深入探讨第四代相干X射线在材料合成过程的动态观察和成像方面的前景和应用，并分享他在这个领域的深入见解和最新的研究成果。