简介: |
通过在硅材料里引入二极管来改变载流子的通路和巧妙设计器件的电极位置和几何尺寸， 我们发明了一种用硅制备的二极管辅助的几何增强磁电阻器件, 该器件在0.06特斯拉和7特斯拉下分别实现了30％和100,000％的磁电阻。研究表明： 二极管导致了一个从低电阻态向高电阻态的转变，在转变发生的临界区，磁场可以引起器件电阻的巨大变化，从而在低磁场下得到很大的磁电阻。我们还在1.2特斯拉下分别在砷化镓和锗上得到了大于2600％的磁电阻，研究表明半导体材料可以进入磁电子学工作领域，可能催生半导体工业和磁传感器工业的联姻。该工作发表在2011年的《Nature》上， 该工作还入选2011年度“中国科学十大进展”和2011年度“中国高等学校十大科技进展”。
个人简介： 章晓中，清华大学材料系教授。 1982年1月在复旦大学获物理学士学位，1984年在上海交大获物理硕士学位，1985年获国家公费奖学金赴牛津大学材料系攻读博士学位，1989年获牛津大学博士学位。1989-1992年在英国皇家研究院做博士后，1992-1999年在新加坡国立大学物理系任faculty。1999年被聘为清华材料系教授（博导），历任清华电子显微镜实验室主任，清华材料院中心实验室副主任。现任先进材料教育部重点实验室副主任、全国纳米技术标委会副主任委员、中国电子显微学会理事、全国微束分析标委会顾问。目前的研究领域为：自旋电子学、纳米材料、多铁性材料、材料的电子显微学和计算材料学。章晓中已经在Nature等SCI收录杂志上发表论文150多篇，获中国发明专利14项。 |
