报告摘要：
基于III-V族氮化物半导体材料的发光二极管（LED）已然在传统光源领域引发了一场新旧技术交替的产业变革。其中，基于高Al组分AlGaN材料的深紫外LED是一个细分市场，具有技术含量高、用途广泛的特点，旨在替代传统的紫外光汞蒸汽灯，在杀菌消毒、水净化、污水处理等领域将有巨大应用潜力。然而，无论是蓝光、绿光还是紫外光LED，它们取代传统光源的过程，都面临着如何提升内量子效率（IQE）和光提取效率（LEE），以及如何解决光效衰减（efficiency droop）的共有问题。本报告将以深紫外LED的技术和应用为切入点，介绍中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心的团队在纳米图形衬底、组分渐变电子阻挡层、3D极性诱导空穴气等方面开展的工作，从而实现了发光波长在280纳米的深紫外LED，在20毫安电流下的光输出功率超过6毫瓦，达到国内一流、国际先进水平。同时，报告还将介绍照明中心在光效大于150流明/瓦的白光照明领域的科研工作，并且对于目前备受瞩目的第三代半导体材料（即氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料）在功率半导体方面的相关技术和应用现状、前景做出初步介绍。

报告人简介:
张韵在清华大学电子工程系电子科学与技术专业获得学士学位, 在佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）电子与计算机科学系获得硕士、博士学位。曾任高平半导体公司（Kopin Corporation）器件工艺研发工程师。在美国学习和工作期间，主要参与的研究项目包括基于III-V氮化物材料的紫外光雪崩光电二极管、蓝光绿光半导体激光器、射频大功率异质结双极性晶体管和场效应管等。自2012年4月起回国工作，在中国科学院半导体研究所担任研究员，在半导体照明研发中心继续从事基于III-V氮化物材料的深紫外发光二极管，紫外半导体激光器、异质结晶体管的研究工作。目前主持863课题一项，国家自然科学基金面上项目一项，中组部千人计划青年项目一项；并作为骨干成员参与其它863课题和自然基金重点项目的研究工作。