此次报告主要包含2方面的工作。
（1）III-Nitrides化合物半导体及其缺陷研究：
2014年Nobel物理奖授予赤崎勇，天野浩，中村修二三位日本科学家，表彰他们对GaN基白光LED照明领域的开拓性贡献。作为第三代化合物半导体材料，III-N化合物（Ga(In,Al)N）具有若干优异的技术特性，比如直接带隙、宽光谱范围（0.7eV-6.2eV）、高熔点、高热导率、高击穿电压、高电子迁移率和高饱和速度等。由于缺乏合适的衬底材料，外延生长得到的III-N化合物的位错密度通常高达 ，但InGaN合金仍能激射发光，这种发光效率的缺陷不敏感性吸引了许多研究兴趣。由于位错结构涉及大原子数目，我们采用多尺度模拟方法（Stillinger-Weber经验势，DFTB和DFT）对氮化物半导体中位错的原子/电子结构、以及它们对三元合金成分偏析的影响做了系统研究。同时考虑到异质结（GaN/InGaN）半导体结构中的晶格失配问题，我们研究了应力对阱层合金材料微结构的影响。
（2）表面物理和表面化学：
小分子、金属原子与固体表面的相互作用机理和规律在表面催化和量子点生长研究中具有重要的意义。我们通过DFT计算和化学键分析方法研究了应变对sp金属（Mg为例）表面与氢分/原子相互作用的影响，并提出s-p电荷转移模型解释其调控机理。另一方面，随着密度泛函理论框架下计算范得华力方法（vdW-DF）的成熟，使金属原子在HOPG石墨表面吸附和扩散能够被较精确地计算和研究，以Cu为例，我们与实验合作研究了石墨表面金属量子点的生长机理。最后通过化学键分析方法，我们提出一个简单的图像解释了Ag/Si(111)表面重构的驱动力问题。
雷华平，2001本科毕业于南京大学材料物理专业，2004年硕士毕业于中科院微系统与信息技术研究所，2009年博士毕业于法国国家科研中心CIMAP实验室。先后在法国国家科研中心CIMAP实验室（2009-2010）和美国能源部Ames实验室（2010-2014）作博士后工作。2014年4月，雷华平博士入职中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所。
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