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报告题目:
存储器芯片未来的发展机会(Flash Memory at a Crossroad: Challenges & Opportunities paving the way for the TERA-BIT ERA)
 报告人:
Dr. Khandker Quader
报告时间:
2015-05-28 14:00
报告地点:
微电子所312
主办单位:
微电子所
  简介:
Khandker Quader 博士从事半导体存储器行业超过30年,并且多年是在闪存行业。2013年6月至2014年6月期间,任SK hynix  memory solutions的总裁兼CEO,在此之前,他就职于SanDisk公司,任全球闪存部门的资深副总裁,主要负责公司的闪存研发(其中包括NAND, BiCS, 3D ReRAM, &其它新型存储技术的开发等),主管存储器技术开发,存储器设计&CAD,制造厂R&D,产品/测试工程,产品可靠性以及先进存储器系统解决方案等。他同时也是SanDisk公司的核心管理层,负责公司的未来存储器产品以及存储器解决方案的研发策略&战略规划的具体实施。
Quader博士在SanDisk工作长达18年,在此期间是从零建立起NAND闪存部门,为SanDisk与东芝的合作打下了很好的合作基础,同时开发出了11代业界领先的高性能与高可靠的NAND闪存产品。他所起的作用不局限于R&D研发,在MLC闪存的量产方面贡献也非常之大。他主持领导了业界第一个2位/单元、3位/单元及4位/单元的NAND产品开发与量产工作,这些研究成果与论文发表在ISSCC上,得到了业界最好的评价。
Quader博士,在SanDisk工作之前曾在IBM进行DRAM的设计工作以及在Intel从事SRAM,EPROM与特种存储器产品的设计与研发工作。
Khandker先生获得MIT的电子工程与物理的双学士学位,获得Georgia Tech的电子工程硕士学位以及UC Berkeley的电子工程博士学位。
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