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报告题目:
新型衬底上的LED外延材料与芯片
 报告人:
李国强
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室 教授
报告时间:
2015-06-02 10:30
报告地点:
电子工程馆(罗姆楼)8-208
主办单位:
电子工程系 汪莱 62798240
  简介:
摘要:
    目前使用的氮化物LED一般生长在蓝宝石衬底上。该技术存在几个严峻的问题:一方面,蓝宝石价格昂贵,使得LED生产成本高昂;另一方面,蓝宝石热导率低,不利于开发高功率LED;再次,基于蓝宝石上的LED核心技术几乎已全部欧美国家垄断并申请了专利。
    针对以上问题,本研究团队在前期的研究中,采用了一些高热导率、与氮化物晶格匹配良好的新型衬底来生长氮化物LED外延材料。目前,有关新型衬底上的LED外延技术已经获得了40余项专利授权。
    本报告将主要汇报目前在新型衬底材料上高效率LED的研究进展,并对新型衬底LED的发展方向进行了展望。总之,新型衬底LED技术有利于发展我国具有自主知识产权的LED核心技术,推进我国LED产业发展。
 
 
报告人简介:
    李国强,男,1979 年生, 国家优秀青年科学基金、 全国百篇优秀博士论文、广东青年五四奖章等荣誉获得者。1995-2004年就读于西北工业大学,获博士学位;2004-2005年就职于通用电气全球研发中心, 担任高级研发科学家;2005-2007年就职于东京大学生产技术研究所,任日本学术振兴会(JSPS)外国人特别研究员;2007-2010年就职于牛津大学材料系, 担任英国皇家学会研究员;2010年作为引进人才加入华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,任教授、博士生导师。目前致力于高性能光电半导体材料与器件制作(特别是 LED 及太阳能电池)、以及可见光通讯方面的研究。在JACS,Nature: Scientific Reports,JMCC,APL等国际著名期刊发表SCI论文90余篇。其中ESI高引用论文 2 篇;SCI Top期刊封面/封底论文6篇;影响因子IF>3的论文39篇;论文被包括 Science、Nature Communications、PRL在内的著名期刊引用1000余次;5次被国际半导体工业界领域著名杂志Semiconductor Today专题报道;2次入选国际著名期刊年度Hot articles。发表SCI论文90余篇,引用1000余次,5次被国际半导体工业界领域著名杂志Semiconductor Today专题报道;2次入选国际著名期刊年度Hot articles。独著科学出版社专著1部,合著英文专著2部。20余次在国际学术会议上作大会或分会邀请报告。以第一发明人申请专利80余项,包括国际PCT专利2项;获授权40余项。近5年主持国家及省部级重大科技项目10余项。
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