报告摘要：报告主要介绍用数值模拟的方法研究半导体器件以及电路的电离辐射效应，其中总剂量效应以FPGA为载体，在对FPGA单元电路辐照效应实验数据分析的基础上，借助计算机仿真模拟，实现VLSI抗辐射性能预测；单粒子效应包括SEB、SEGR、SET、SEU敏感区域分布获取及其加固设计等内容。

报告人简介：郭红霞，女，1964.11生，山西太原人。西北核技术研究所研究员，博士，博士生导师，2010年入选中国科学院国内“百人计划”。主要从事电子元器件空间辐射单粒子效应模拟试验技术和仿真模拟研究，是我国空间辐射效应研究领域的学术带头人，在空间辐射单粒子效应模拟试验技术、仿真模拟技术、评估技术等方向作出了多项研究成果，部分成果已应用于型号设计，为我国抗辐射加固技术发展做出重要了贡献。荣获部委级一等奖三项、二等奖两项，三等奖七项。2004年博士论文获陕西省优秀博士论文。主持国家科技重大专项子课题1 项、预研项目4项、预研重点项目1项、国家自然科学基金面上2项、重点1项、中科院“国内百人”计划项目1项。获国家发明专利授权5项，发表论文90余篇，被SCI收录30余篇，EI收录60余篇。

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