随着人类居住城市的智慧化，物联网技术的迅猛发展，作为未来物联网重要基石的微型MEMS传感器及其芯片系统已经广泛应用于工业和人们的生活当中。压电氮化铝（AlN）薄膜，作为一种新型MEMS材料，具有优良的压电性能以及完美的半导体工艺兼容特性，是目前制备各种传感器、驱动器、谐振器以及滤波器等的最佳原材料。AlN材料的介电常数比传统的压电材料PZT小两个数量级，且机械品质因数显著高于PZT，这意味它在某些应用中能发挥更加优越的性能，如射频谐振器以及能量采集器等。同时，Sc掺杂AlN材料（ScAlN），可以改善机械性能或增加压电系数，但却不会显著改变其它属性，这无疑将进一步提升MEMS器件的性能。演讲将围绕氮化铝薄膜的制备为基础，重点讨论氮化铝薄膜材料在射频谐振器（Lamb波谐振器、FBAR）、滤波器以及能量采集器（流体驱动式、真空封装的MEMS振动式能量采集器）等方面的研究，包括MEMS器件的设计、制程以及性能表征等。

孙成亮，男，新加坡微电子研究院研究员。1999年获武汉大学理学学士，后留校工作两年。2001年至2006年在武汉大学攻读博士学位，师从赵兴中教授。2004年至2007年在香港理工大学从事博士、博士后研究工作。2007年至2011年分别在美国匹兹堡大学、威斯康辛大学麦迪逊分校从事博士后研究工作。2011年加盟新加坡微电子研究院工作至今。于2014年获新加坡工程院 “新加坡工程院杰出工程成就奖”。