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报告题目:
材料院《材料科学论坛》:多铁性隧道结界面性能调控
 报告人:
李晓光教授
中国科学技术大学
报告时间:
2016-12-15 15:00
报告地点:
清华大学主楼东配区11区(电镜中心大会议室11-228房间)
主办单位:
材料院《材料科学论坛》 联系人:朱静 老师 62794026
  简介:

摘要:
多铁材料同时具有铁磁和铁电等多种铁性有序以及独特的磁电耦合效应,可以通过电场调控磁矩转动,实现自旋状态的控制,有助于器件小型化和多功能化,为后摩尔时代电子技术的发展提供了新的方向。“铁磁金属/超薄铁电薄膜/铁磁金属”多铁电隧道结兼有非易失、无损电阻读取和高存储密度等优势。我们通过合适的隧穿参数选取和制备工艺优化,设计了铁磁/铁电/铁磁全钙钛矿多铁隧道结,利用原子分辨的扫描透射显微镜分析多铁隧道结界面处原子和磁结构,观察到量子隧道结非对称界面起源,并由此探索了多铁隧道结的隧穿磁致和电致电阻效应。在此基础上进一步研究了多铁性异质结界面特性对多态存储调控作用。

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