拓扑作为一个新兴概念被广泛应用于固体材料的设计。 拓扑非平凡的材料具有拓扑保护的本征边界态。拓扑边界态不会被微小的扰动所破坏。因此有可能应用于低功耗电子器件.

通常，拓扑边界态的出现需要电子自旋轨道耦合。 在这次的报告中我们将讨论一种在零电子自旋轨道耦合下的拓扑边界态。该拓扑边界态的形成是由于体系本身的非零电偶极子。和通常的认知不同的是，该非零电偶极子是在宇称对称性下出现的，因此是一个由对称性保护的拓扑量。另外，拓扑电偶极子可以推广至更高维度如拓扑电四极子，其对应的是二维系统中的拓扑角态和三维系统中的拓扑边态。我们还发现，在拓扑角态存在的系统中，如果体系具有自旋或者赝自旋自由度，拓扑边界态通常是螺旋的。

具体的我们将二维 Su-Schrieffer–Heeger ??模型作为一个例子。我们将讨论拓扑边界和角态在二维Su-Schrieffer–Heeger ??模型出现的条件，和这些拓扑边界态和角态的性质，以及如何用固体材料和光子晶体来实现这个二维 Su-Schrieffer–Heeger 模型。

参考文献：
【1】F. Liu and K. Wakabayashi PRL 118, 076803 ??(2017)
【2】F. Liu, H.-Y. Deng and K. Wakabayashi PRB 97, 035442 ??(2018)
【3】F. Liu, H.-Y. Deng and K. Wakabayashi PRL 112, 086804 (2019.)