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报告题目:
第459期“工物学术论坛”: 基于深硅刻蚀工艺的 X 射线光栅制备方法简介
 报告人:
史志天
剑桥大学,Research Associate
报告时间:
2023-07-04 10:00
报告地点:
刘卿楼613会议室
主办单位:
工程物理系
  简介:

腾讯会议:207-659-030

密码:718492


报告摘要:

基于光栅组的X射线相位成像系统(X-ray Grating Interferometry, XGI)因其独特的软组织分辨能力,近年来得到了广泛关注。最新研究成果表明,XGI相位成像质量已超越传统的X射线吸收信号,使得该项技术应用于软组织早期癌变诊断成为可能。其中,光栅组(包括相位光栅及吸收光栅)制备工艺的快速发展成为促进该项技术实现突破的关键因素;然而,当前的光栅制备工艺水平尚未满足理想中X射线相位成像光栅的需求,也因此同步成为了XGI技术发展的制约因素。目前,主流的XGI系统光栅制备方法有两种:使用同步辐射光源对光刻胶曝光后使用黄金填充深槽制备形成光栅的LIGA(德语Lithographie, Galvanoformung, Abformung);以及使用现有半导体工艺平台的光刻、刻蚀、以及电镀的工艺流程。前者可以制备极高深宽比的光栅,然而其所能够制备的光栅周期相对受限、同步辐射光源较为昂贵、光刻胶模板机械强度较弱且随时间衰变,且几乎只适用于吸收光栅。后者技术平台较为成熟、工艺灵活、成本相对较低、可同时应用于相位 及吸收光栅的制备,因此应用前景更为广阔。理想中用于XGI成像系统的光栅应该具备更小的周期(更高的敏感度)、更高的光栅高度(满足使用更高X射线能量的需求)、以及更大的光栅面积(提供更大的视场),这些要求分别给光栅制备工艺带来新的挑战。本次报告重点介绍基于半导体工艺平台(硅基)的光栅制备方法、挑战与局限、以及如何通过调整工艺参数提高光栅质量。

 

报告人简介:

报告人史志天,博士毕业于苏黎世联邦理工学院,课题为高深宽比X射线光栅的制备。曾任三星 (中国)半导体有限公司高级工艺工程师。目前在剑桥大学任 Research Associate,从事硅光领域相关的微纳工艺研究。受邀担任 Elsevier 杂志《Materials Science in Semiconductor Processing》客座编辑。

 

“论坛”主请人联系方式:

王振天:wangzhentian@tsinghua.edu.cn

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