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报告题目:
『清华信息大讲堂』第 49 讲—Intel论坛第2讲:资深院士揭秘英特尔如何为摩尔定律保鲜--SoC时代芯片制造工艺大创新
 报告人:
Mark T. Bohr
美国工程院院士,英特尔技术与制造事业部高级院士、制程架构与集成部门总监
报告时间:
2010-04-14 19:00
报告地点:
信息大楼(FIT)多功能厅
主办单位:
信息学院
  简介:

Abstract

    30年来随着制造工艺进步,MOSFET尺寸不断变小,半导体工业不断进步。时至今日,传统缩微制造工艺受到了漏电和功耗指标的巨大限制。面对挑战,英特尔在器件材料、晶体管结构、尺寸缩微方面持续作出突破性创新,提高器件集成度和芯片性能,引领半导工业跨入纳米新时代。突出的创新例子包括低电阻铜导线、应变硅晶体管和最近的HKMG晶体管。英特尔还在光刻领域取得突破性进展。为了应对特征尺寸低于光刻光波长以后,高集成度和低变动性目标给电路布线带来的严峻挑战,英特尔采用光学邻近校正、相移掩模版和栅格布线等技术推进光刻工艺,使器件特征尺寸进一步缩小成为可能。以上这些数字微电路制造工艺的进步也更好地兼顾了模拟微电路特性的要求,为现代微处理器集成大量多领域、高性能的模拟器件打开广阔前景。

Biography:

    马博(Mark T. Bohr )身为美国工程院院士,和英特尔高级院士,现任英特尔公司制程架构与集成部门全球总监,负责英特尔在全球有关高级逻辑技术方面的制程开发工作,掌握着英特尔最核心的技术机密。
马博于1978 年加盟英特尔,一直负责各种动态 RAM、静态 RAM 和微处理器产品制程技术的工艺整合和元件设计工作。他参与开发的技术包括:1981 年英特尔首次推出的 CMOS 技术,1983 年全球首项 CMOS DRAM 技术,1992 年英特尔的第一项 BiCMOS 逻辑技术,采用应变硅晶体管以及铜和低 K互连技术的90纳米和65纳米逻辑技术,以及新近推出的采用高-K栅介质+金属栅极晶体管的45纳米逻辑技术。他目前领导开发英特尔32纳米逻辑技术的工作。
    马博于 1953 年出生于伊利诺伊州芝加哥。他在1976 年和1978 年分别获得了伊利诺伊大学香槟分校授予的工业工程学士学位和电气工程硕士学位。1998 年,他荣获了伊利诺伊大学电气与计算机工程学院颁发“杰出校友奖”。另外,他还是英特尔学院关系(Intel's Academic Relations)部门伊利诺伊大学的主要赞助人。
    马博是电气和电子工程师协会(Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE)成员,曾获得 2003 IEEE Andrew S. Grove 奖。他还担任过国际电子元件会议(International Electron Devices Meeting)(1990-1991年 及 1996-1997 年)和 VLSI 技术座谈会(Symposium on VLSI Technology)(1994-1999年)论文选拔委员会的评委,现任职于 VLSI 座谈会执行委员会。2005 年,他当选美国国家工程学院(National Academy of Engineering)院士。马博在集成电路工艺领域拥有 31 项专利,已发表或联合发表了 39 篇论文。
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