摘要：自集成电路诞生之日起，半导体产业的竞争就始终聚焦在特征尺寸的微细化和硅圆片尺寸的不断扩大上。研究表明集成技术在32/22nm及以下技术代将面临越来越大的挑战，主要表现在器件物理、基础工艺和加工手段等的限制。在国家任务部署下，我们对32/22nm及以下技术代的关键技术和新结构器件展开了深入研究，包括应变沟道工程、高K栅介质/金属栅技术和新结构器件等国际同行关注和竞争的热点问题，从机理和技术实现等方面开展了深入研究，取得了可喜的成果。报告将介绍：
1.面向32/22nm技术代应变硅沟道工程研究
2.面向32/22nm技术代高k栅介质/金属栅技术研究
3.面向16nm及以下技术代新器件结构研究
 
报告人简历
徐秋霞，女， 1966年毕业于浙江大学无线电系半导体材料与器件制造专业。现为中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。中国科学院研究生院教授。美国IEEE Electron Devices Society Senior Member。目前为国家02重大专项“22纳米关键工艺技术先导研究”中课题“工艺整合与集成技术研究”的首席科学家。长期从事VLSI/ULSI基础工艺技术及新器件结构研究，她与她领导的团队在纳米、超深亚微米和亚微米CMOS关键技术及器件结构研究等方面取得多项国际有一定影响、国内领先并具有标志性的创新成果；她以第一和合作发明人申请并受理的发明专利共87项（含美国发明专利7项），已授权的发明专利23项（含美国发明专利1项）。研究成果先后获国家技术发明二等奖1项和国家科技进步二等奖2项、及省部级科技进步一、二等奖8项。在国内外学术期刊和会议发表论文141篇，国际学术会议作邀请报告8次和国内大会特邀报告4次。参加编著中、英文著作4本，参加译著审校1部。