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报告题目:
材料院《材料科学论坛》:磁性绝缘体(YIG)/Pt薄膜的磁近邻效应
 报告人:
蔡建旺 研究员
中科院物理所
报告时间:
2013-09-18 15:00
报告地点:
清华大学材料院学术报告厅(逸夫技术科学楼2-321)
主办单位:
材料院《材料科学论坛》联系人: 宋成 62781275
  简介:

主要内容:
纯自旋流的操控是发展未来自旋电子器件的关键技术之一。Pt由于具有很强的自旋-轨道耦合,表现出大的自旋霍尔角,在自旋塞贝克效应及包括关于自旋泵浦在内的许多实验中,被广泛用作自旋流的探测器。作为自旋流探测器的非磁薄膜,其基本要求是非磁层自身不能拥有磁性。然而,众所周知,Pt(以及Pd)的电子能带几乎快要满足Stoner判据,乃所谓磁近邻效应的典型代表。Pt在磁性绝缘体YIG上是否存在诱导磁性缺少直接实验证据。通过对液相外延YIG薄膜上生长的Pt薄膜的磁圆二色谱(XMCD)测量和系统的输运测试,明确给出了低温至室温下Pt薄膜被磁性绝缘体诱导出显著铁磁磁矩的直接实验结果,同时确认了YIG/Pt薄膜的反常霍尔效应、各向异性磁电阻、反常能斯特效应等特征,并系统对照直接生长于GGG单晶衬底上的Pt薄膜的输运特性,发现Pt薄膜电子结构直接关联的物理量,正常霍尔系数、电阻率受到绝缘磁性层的强烈调制。最后,对磁性金属薄膜各向异性磁电阻的尺寸效应的一些新结果与自旋霍尔磁电阻(SMR)进行讨论。

蔡建旺 
中国科学院物理研究所研究员,博士生导师。1988、1991年于南京大学先后获学士、硕士学位;1994年于中国科学院物理研究所获博士学位;在美国霍普金斯大学和日本东北大学工作四年,2000年获中科院“百人计划”。长期从事金属磁性纳米多层膜的材料制备生长、磁性表征和自旋相关输运的研究。在国际主要学术刊物发表论文80篇,被SCI他引用约700次;另外,撰写磁电子学综述论文2篇;获国家发明专利7项。2005年至2008年任两届IEEE磁学分会技术委员会委员。

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