简介: |
二维材料由于其各方面出色的性质成为了最近的研究热点。基于二维材料的各类器件上的应用都依赖于样品大规模的制备。同graphene类似，化学气相沉积法是现今最为有效的方法。复杂的晶粒成核、生长和融合过程不可避免地引入了各种各样的界面结构，包括边缘，位错和晶界等等。这些缺陷结构对材料的性质产生着非常重要的影响。在这个报告中，我将首先介绍近来对二维BN和过渡金属卤化物MS2中位错和晶界的研究结果[1-5]。针对这些二维材料的开放性和异质组成，我将着重强调化学势对缺陷的结构和迁移机制的影响。更进一步，某些位错和晶界能够成为磁性中心[6]和一维的金属线。其次，我还将揭示边缘能量这一平衡态性质对材料的非平衡的撕裂行为的影响。最后，我将从MS2的不同相（半导体性的2H和金属性的1T）构成的电子异质结界面的结构和迁移的角度来阐述不同相之间可能的转变机制。
References:
[1] Y. Liu, X. Zou, B. I. Yakboson, ACS Nano, 6, 7053 (2012).
[2] W. Zhou*, X. Zou*, et al., Nano Lett., 13, 2615-2522 (2013).
[3] S. Najmaei et al., Nat. Mater., 12, 754-759 (2013).
[4] X. Zou, et al., Nano Lett., 13, 253-258 (2013).
[5] A. Azizi*, X. Zou*, et al. Nature commun., 5, 4867 (2014).
[6] Z. Zhang, X. Zou, et al. ACS Nano, 7, 10475 (2013).
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