摘要：
锗硅异质结双极晶体管（SiGe HBT）技术通过在传统的硅双极晶体管（Si BJT）的基区引入锗硅合金材料，调整器件的能带结构，从而能够有效地改善器件的直流、射频微波以及功率性能，所以自诞生以来历经20多年已经发展成为新一代硅基射频、微波和高速核心器件技术之一，并在有线、无线通信、互联网接入、广播电视信号发射和接收，以及雷达、卫星、导航等重要领域获得了广泛应用。此外，SiGe HBT独特的材料特征、器件结构和工艺流程使其在极端环境（例如极低温度和辐照太空环境）应用中具有先天的固有优势，因此近年来国际上这方面的探索研究也越来越引起人们的重视，并获得了可观的进展。在这样的背景下，本报告将简要介绍我们在SiGe HBT的技术研究和应用方面取得的进展和成果，并对其在极端环境应用方面的研究现状和前景进行概述和展望。 |
